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半导体器件标准

半导体器件

共找到 8半导体器件 标准

序号 资料名称 资料大小
1 GB/T 20515-2006 半导体器件 集成电路 第5部分:半定制集成电路 643 KB

标准编号:GB/T 20515-2006 
标准名称:半导体器件 集成电路 第5部分:半定制集成电路
英文名称:Semiconductor devices - Integrated circuits - Part 5: Semicustom integrated circuits

标准简介:
本部分为第5部分,等同采用IEC 60748-5:1997《半导体器件 集成电路 第5部分:半定制集成电路》,本部分规定了集成电路(IC)分类体系树中有关半定制集成电路子类的标准。

2 GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 1 MB

标准编号:GB/T 6571-1995 
标准名称:半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管
英文名称:Semiconductor devices-Discrete devices-Part 3: Signal(including switching)and regulator diodes
 

3 JB/T 5835-2005 电力半导体器件用门极组合件 177 KB

标准编号:JB/T 5835-2005 
标准名称:电力半导体器件用门极组合件
英文名称:Components of gate terminal for power semiconductor devices

标准简介:
本标准规定了电力半导体器件用门极组合件的型号、尺寸、技术要求、检验规则和包装、运输、贮存、标志等要求。

4 GB/T 13151-2005 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 500 KB

标准编号:GB/T 13151-2005 
标准名称:半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 
英文名称:Semiconductor devices—Discrete devices—Part 6:thyristors—Section three—Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A

5 GB/T 13150-2005 半导体器件 分立器件 电流大于100A、环境和管壳额定的双向三级晶闸管空白详细规范 593 KB

标准编号:GB/T 13150-2005 
标准名称:半导体器件 分立器件 电流大于100A、环境和管壳额定的双向三级晶闸管空白详细规范
英文名称:Semiconductor devices discrete devices blank detail specification for bi-directional triode thyristors(triacs),ambient and case-rated,for currents greater than 100A
 

6 GB/T 4937.3-2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分:外部目检 198 KB

标准编号:GB/T 4937.3-2012
简体名称:半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分:外部目检
繁体名称:半導體器件 機械和氣候試驗方法 第3部分:外部目檢
英文名称:Semiconductor devices - Mechanical and climatic tests methods - Part 3: External visual examination

标准简介:
GT 4937的本部分的目的是验证半导体器件的材料、设计、结构、标志和工艺质量是否符合适用的采购文件的要求。外部目检是非破坏性试验,适用于所有的封装类型。本试验用于鉴定检验、过程监控、批接收。

 

7 GB/T 4937.2-2006 半导体器件 机械和气候试验方法 第2部分:低气压 384KB

标准编号:GB/T 4937.2-2006
简体名称:半导体器件 机械和气候试验方法 第2部分:低气压
繁体名称:半導體器件 機械和氣候試驗方法 第2部分:低氣壓
英文名称:Semiconductor devices―Mechanical and climatic test methods―Part 2: Low air pressure

标准简介:
本部分适用于半导体器件的低气压试验。本项试验的目的是测定器件和材料避免电击穿失效的能力,而这种失效是由于气压减小时,空气和其他绝缘材料的绝缘强度减弱所造成的。本项试验仅适用于工作电压超过1000V的器件。本项试验适用于所有的空封半导体器件。本试验仅适用于军事和空间领域。本项低气压试验方法和IEC60068-2-13大体上一致,但鉴于半导体器件的特殊要求,使用本标准条款。

 

8 GB/T 4937.1-2006 半导体器件 机械和气候试验 第1部分:总则 152KB

标准编号:GB/T 4937.1-2006
简体名称:半导体器件 机械和气候试验 第1部分:总则
繁体名称:半導體器件 機械和氣候試驗 第1部分:總則
英文名称:Semiconductor devices―Mechanical and climatic test methods―Part 1: General

标准简介:
本部分代替GB/T 4937-1995《半导体器件 机械和气候试验方法》第Ⅰ篇总则。本部分适用于半导体器件(分立器件和集成电路)并为GB/T 4937系列的其他部分建立通用准则。

 

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