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硅单晶标准

硅单晶

共找到 16硅单晶 标准

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1 GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 2 MB

标准编号:GB/T 13389-2014 
标准名称:掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 
英文名称:xxxxx

标准简介:
本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系,该换算关系也适用于掺锑硅单晶,还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。
本标准适用于掺硼浓度1014 cm-3~1×1020cm-3,掺磷浓度3×1013 cm-3~1×1020 cm-3,掺砷浓度1019 cm-3~6×1020cm-3。对掺硼、掺磷的硅单晶掺杂剂浓度可扩展到1012cm-3。
本标准也可用于在23℃下从硅单晶电阻率到载流子浓度的换算,但不包括对砷掺杂剂的载流子浓度换算,或任何其他载流子浓度的换算。

2 GB/T 26065-2010 硅单晶抛光试验片规范 855 KB

标准编号:GB/T 26065-2010 
标准名称:硅单晶抛光试验片规范    
英文名称:Specification for polished test silicon wafers

标准介绍:
本标准规定了半导体器件制备中用作检验和工艺控制的硅单晶试验片的技术要求。
本标准涵盖尺寸规格、结晶取向及表面缺陷等特性要求。本标准涉及了50.8mm~300mm 所有标准直径的硅抛光试验片技术要求。
对于更高要求的硅单晶抛光片规格,如:颗粒测试硅片、光刻分辨率试验用硅片以及金属离子监控片等,参见SEMI24《硅单晶优质抛光片规范》。

3 GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法 1 MB

标准编号:GB/T 24581-2009   
标准名称:低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
英文名称:Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

标准介绍:
本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。
本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10-9~5.0×10-9)a。 
 

4 GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法 964 KB

标准编号:GB/T 24574-2009  
标准名称:硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法 
英文名称:Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

标准介绍:
本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。
本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。
本标准用于检测单晶硅中含量为1×1011at·cm-3~5×1015at·cm-3的各种电活性杂质元素。

5 GB/T 12965-2005 硅单晶切割片和研磨片 277 KB

标准编号:GB/T 12965-2005 
标准名称:硅单晶切割片和研磨片
英文名称:Monocrystalline silicon as cut slices and lapped slices

标准介绍:
本标准规定了硅单晶切割片和研磨石的产品分类、术语、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于由直接、悬浮区熔和中子嬗变掺杂硅单晶经切割、双面研磨制备的圆形硅片。产品主要用于制作晶体管、整流器件等半导体器件,或进一步加工成抛光片。
 

6 GB/T 12964-2003 硅单晶抛光片 300 KB

标准编号:GB/T 12964-2003 
标准名称:硅单晶抛光片
英文名称:Monocrystalline silicon polished wafers

标准介绍:
本标准规定了硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于直拉硅单晶研磨片经腐蚀减薄后进行单面抛光制备的硅抛光片。产品主要用于制作集成电路等半导体器件或做为硅外延沉积的衬底。

7 GB/T 12962-2005 硅单晶 322 KB

标准编号:GB/T 12962-2005  
标准名称:硅单晶
英文名称:Monoccrystalline silicon

标准介绍:
本标准规定了硅单晶的产品分类、术语、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。本标准适用于直接拉、悬浮区熔和中子嬗变掺杂制备的硅单晶。产品主要用于制作半导体器件。

8 GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法 1.5 MB

标准编号:GB/T 1551-2009  
标准名称:硅单晶电阻率测定方法  
英文名称:Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon

标准介绍:
本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。
本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距4倍的硅单晶圆片的电阻率。

9 YB 1603-1983 硅单晶切割片和研磨片 210 KB

标准编号:YB 1603-1983 
标准名称:硅单晶切割片和研磨片 
英文名称:xxxxxx

标准介绍:
本标准适用于制造半导体器件(分立器件和集成电路)的三种等直径硅单晶切割片和双面研磨片。用作其他器件的硅单晶切割片和研磨片,可参照本标准确定其相应的技术参数。

10 SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法 277 KB

标准编号:SJ 20858-2002 
标准名称:碳化硅单晶材料电学参数测试方法
英文名称:Measuring methods for electrical parameters of silicon carbide single crystal material

标准介绍:
本标准规定了碳化硅单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测试方法。本标准适用于温度在20℃~700℃范围内的4H-SiC、6H-SiC等低阻碳化硅体单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测量。

11 SJ 20750-1999 军用CMOS电路用抗辐射硅单晶片规范 380 KB

标准编号:SJ 20750-1999 
标准名称:军用CMOS电路用抗辐射硅单晶片规范
英文名称:Specification for radiation hardened monocrystal silicon wafers for millitary CMOS integrated circuits

标准介绍:
本规范规定了军用CMOS电路用抗辐射硅单晶片的要求、质量保证规定和交货准备等。本规范适用于军用CMOS电路用直径为50.8mm76.2mm和100mm抗辐射硅单晶片抛光片(以下简称硅片)。

12 JJG 48-2004 硅单晶电阻率标准样片检定规程 505 KB

标准编号:JJG 48-2004 
标准名称:硅单晶电阻率标准样片检定规程
英文名称:Verification Regulation of Standard Slice of Single Crystal Silicon Resistivity

标准介绍:
本规程适用于硅单晶电阻率标准样片的首次检定、后续检定和使用中的检验。

13 GB/T 25076-2010 太阳电池用硅单晶 1.7 MB

标准编号:GB/T 25076-2010 
标准名称:太阳电池用硅单晶
英文名称:Monocrystalline silicon of solar cell

标准介绍:
本标准规定了太阳电池用硅单晶的技术要求、试验方法,检验规则以及标志、包装、运输、贮存。
本标准适用于直拉掺杂制备的地面空间太阳电池用硅单晶。

14 GB/T 29506-2013 300mm 硅单晶抛光片 586 KB

标准编号:GB/T 29506-2013
中文名称:300mm 硅单晶抛光片
英文名称:300 mm polished monocrystalline silicon wafers

标准介绍:
本标准规定了直径300mm、p型、<100>晶向、电阻率0.5Omega;middot;cm~20Omega;middot;cm 规格的硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于直径300mm 直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片,产品主要用于满足集成电路IC用线宽90nm 技术需求的衬底

15 GB/T 29508-2013 300mm 硅单晶切割片和磨削片 646 KB

标准编号:GB/T 29508-2013
中文名称:300mm 硅单晶切割片和磨削片
英文名称:300 mm monocrystalline silicon as cut slices and grinded slices

标准介绍:
本标准规定了直径300mm、p型、<100>晶向、电阻率0.5Omega;middot;cm~20Omega;middot;cm 的硅单晶切割片和磨削片(简称硅片)产品的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于直径300mm 直拉单晶经切割、磨削制备的圆形硅片,产品将进一步加工成抛光片,用于制作集成电路IC用线宽90nm 技术需求的衬底片。

16 GB/T 29504-2013 300mm 硅单晶 404 KB

标准编号:GB/T 29504-2013
中文名称:300mm 硅单晶
英文名称:300 mm monocrystalline silicon

标准介绍:
本标准规定了直径300mm、p型、<100>晶向、电阻率0.5Omega;middot;cm~20Omega;middot;cm 硅单晶的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于由直拉法制备的硅单晶,主要用于制作满足集成电路IC用线宽0.13mu;m 及以下技术需求的300mm 硅单晶抛光片。

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