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分立器件标准

分立器件

共找到 9分立器件 标准

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序号 资料名称 资料大小
1 GJB 33A-1997 半导体分立器件 总规范 2.2 MB

标准编号:GJB 33A-1997
标准名称:半导体分立器件 总规范
英文名称:xxxx

2 SJ/T 10416-1993 半导体分立器件芯片总规范 116 KB

标准编号:SJ/T 10416-1993 
标准名称:半导体分立器件芯片总规范
英文名称:Generic specification for chip for semiconductor discrete devices

3 SJ 20310-1993 半导体分立器件 3DD101型功率晶体管详细规范 322 KB

标准编号:SJ 20310-1993 
标准名称:半导体分立器件 3DD101型功率晶体管详细规范
英文名称:Detail specification for Type 3DD101 power transistor

标准简介:
本规范规定了3DD101A~E型NPN硅功率晶体管的详细要求。每种器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

4 SJ 20175-1992 半导体分立器件 3DG918型NPN硅超高频小功率晶体管详细规范 276 KB

标准编号:SJ 20175-1992  
标准名称:半导体分立器件 3DG918型NPN硅超高频小功率晶体管详细规范
英文名称:Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon ultra-high frequency low-power transistor of Type 3DG918

标准简介:
本规范规定了3DG9l8型NPN硅超高频小功率晶体管(以某侧箍器件)的详细婆$b该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等(GP、GT和GCT级).

5 GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分:光电子器件 测试方法 810 KB

标准编号:GB/T 15651.3-2003 
标准名称:半导体分立器件和集成电路 第5-3部分:光电子器件 测试方法
英文名称:Discrete semiconductor devices and integrated circuits—Part 5-3:Optoelectronic devices—Measuring methods

标准简介:
本部分适用于光电子器件的测试方法,用于光纤系统或子系统的除外。

6 GB/T 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸 1.4 MB

标准编号:GB/T 7581-1987 
标准名称:半导体分立器件外形尺寸
英文名称:Dimensions of outlines for semiconductor discrete devices

标准简介:
本标准适用于半导体分立器件的外形尺寸。
 

7 GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 1 MB

标准编号:GB/T 6571-1995 
标准名称:半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管
英文名称:Semiconductor devices-Discrete devices-Part 3: Signal(including switching)and regulator diodes
 

8 GB/T 13151-2005 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 500 KB

标准编号:GB/T 13151-2005 
标准名称:半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 
英文名称:Semiconductor devices—Discrete devices—Part 6:thyristors—Section three—Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A

9 GB/T 13150-2005 半导体器件 分立器件 电流大于100A、环境和管壳额定的双向三级晶闸管空白详细规范 593 KB

标准编号:GB/T 13150-2005 
标准名称:半导体器件 分立器件 电流大于100A、环境和管壳额定的双向三级晶闸管空白详细规范
英文名称:Semiconductor devices discrete devices blank detail specification for bi-directional triode thyristors(triacs),ambient and case-rated,for currents greater than 100A
 

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